问题描述：
[填空]
N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
参考答案：查看无
答案解析：无
☆收藏
答案解析：无
☆收藏
上一篇：转向轮定位的功用是（）。
下一篇：半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
- 我要回答: 网友(18.227.13.119)
- 热门题目: 1.在第三代（3G）移动通信中， 2.变速器齿轮油不足或品质恶化， 3.变速器齿轮油泄漏不可能导致（