问题描述：
[单选]
下列关于器件特性的说法哪一项是错误的？（）
A．SRAM是挥发性存储器，DRAM是非挥发性存储器;
B．3D NAND也是FLASH闪存;
C．DRAM基本存储单元是1T1C, 其中T指晶体管，C指电容器;
D．栅长越大，器件关态漏电越小;栅宽越小，器件开态电流越小。
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