问题描述:
[单选]
下列关于器件特性的说法哪一项是错误的?()
A.SRAM是挥发性存储器,DRAM是非挥发性存储器;
B.3D NAND也是FLASH闪存;
C.DRAM基本存储单元是1T1C, 其中T指晶体管,C指电容器;
D.栅长越大,器件关态漏电越小;栅宽越小,器件开态电流越小。
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