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[单选] 随着温度的升高,n型半导体电导率的变化应为
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发) B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发) C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射) D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)
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