问题描述：
[单选]
采用64K×1位的DRAM芯片构成256K×8位的存储器，若采用异步刷新方式，每单元刷新间隔不超过2ms，则生成的刷新信号的间隔时间是（），若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用（）个读写周期。
A．7．8μs，256
B．1．9μs，256
C．7．8μs，128
D．1．9μs，128
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