问题描述：
[问答]
下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。 A.硅是间接带隙半导体 B.禁带宽度具有负的温度系数 C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1．12eV和1．43eV D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
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