问题描述：
[单选]
晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。
A．之前，超前
B．之前，滞后
C．之后，超前
D．之后，滞后
参考答案：查看无
答案解析：无
☆收藏
答案解析：无
☆收藏
上一篇：对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
下一篇：由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
- 我要回答: 网友(216.73.216.135)
- 热门题目: 1.下面哪些公共场所我们最好不要 2.事故处理过程中，我们要贯彻坚 3.创业机会指（）