问题描述：
[单选]
功率场效应晶体管（ Power MOSFET）开关速度高，输入阻抗低，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，存在二次击穿问题。
A．对
B．错
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上一篇：电力品体管（GTR）耐压高，电流小，开关特性好，通流能力强，饱和压降低。（错 ）3．绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大。
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