NMOS源漏城需进行N+型掺杂。-工学5-简明问答题库

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问题描述：

[单选] NMOS源漏城需进行N+型掺杂。

A．对 B．错

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上一篇：（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。下一篇：何谓掺杂？

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