问题描述：
[填空]
PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
参考答案：查看无
答案解析：无
☆收藏
答案解析：无
☆收藏
上一篇：由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
下一篇：地下室的楼梯，多采用（）。
- 我要回答: 网友(216.73.216.96)
- 热门题目: 1.UPS的逆变器的输入由整流器 2.只受两个力作用而处于平衡的构 3.次级代谢产物有哪些特点？