问题描述：
[填空]
PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
参考答案：查看无
答案解析：无
☆收藏
答案解析：无
☆收藏
上一篇：由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
下一篇：地下室的楼梯，多采用（）。
- 我要回答: 网友(3.14.64.102)
- 热门题目: 1.什么是混凝土的碳化？为什么碳 2.简述天麻的种子繁殖方法？ 3.合辅助发电开关5K，辅助发电