问题描述：
[填空]
由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
参考答案：查看无
答案解析：无
☆收藏
答案解析：无
☆收藏
- 我要回答: 网友(3.15.187.205)
- 热门题目: 1.点的x坐标越大，其位置越靠近 2.以下器件属于有源器件的是（） 3.设计基准期和设计使用年限有何