问题描述:
[多选]
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
A.光刻胶
B.衬底
C.表面硅层
D.扩散区
E.源漏区
参考答案:查看无
答案解析:无
☆收藏
答案解析:无
☆收藏
- 我要回答: 网友(3.143.203.43)
- 热门题目: 1.引出系统要求能引出分散性较好 2.离子源的作用是使所需要的杂质 3.在各种离子源常用的放电方式中