当前位置:百科知识 > 集成电路制造工艺员(三级)试题

问题描述:

[单选] 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅 B.氮化硅 C.光刻胶 D.去离子水
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