问题描述：
[多选]
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
A．表面处费米能级与本征费米能级重合
B．表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央
C．表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等
D．表面势等于费米势的两倍
E．表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
参考答案：查看无
答案解析：无
☆收藏
答案解析：无
☆收藏
上一篇：在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
下一篇：以下可能导致MIS结构（p型衬底）的阈值电压提高的因素有（）
- 我要回答: 网友(18.119.116.125)
- 热门题目: 1.MCGS嵌入版脚本程序为有效 2.实时数据库是一个数据处理中心 3.热扩散率的物理意义是：物体内