问题描述：
[多选]
以下可能导致MIS结构（p型衬底）的阈值电压提高的因素有（）
A．提高衬底的掺杂浓度
B．增加绝缘层的厚度
C．降低金属的功函数
D．提高平带电压
E．提高绝缘层的介电常数
参考答案：查看无
答案解析：无
☆收藏
答案解析：无
☆收藏
上一篇：以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
下一篇：在一块半导体中同时掺入N型杂质和P型杂质，会发生杂质补偿作用，施主能级和受主能级上的电荷先相互抵消，剩下的电荷才能成为导电粒子。
- 我要回答: 网友(18.117.127.127)
- 热门题目: 1.双极型晶体管做共发射极连接使 2.共发射极连接的晶体管最大功率 3.脱氧核糖核甘中的糖环3′位没