问题描述:
[多选]
以下可能导致MIS结构(p型衬底)的阈值电压提高的因素有()
A.提高衬底的掺杂浓度
B.增加绝缘层的厚度
C.降低金属的功函数
D.提高平带电压
E.提高绝缘层的介电常数
参考答案:查看无
答案解析:无
☆收藏
答案解析:无
☆收藏
上一篇:以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是()
下一篇:在一块半导体中同时掺入N型杂质和P型杂质,会发生杂质补偿作用,施主能级和受主能级上的电荷先相互抵消,剩下的电荷才能成为导电粒子。
- 我要回答: 网友(3.20.238.29)
- 热门题目: 1.神经系统、内分泌系统和免疫系 2.高分子链中头-头结构的存在会 3.Java源程序的扩展名和Ja