问题描述：
[单选]
化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1．热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2．CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3．CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4．CVD SiO2，温度低。
A．1、2
B．2、4
C．1、4
D．1、2、4
E．1、2、3、4
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